• Sections
  • H - électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11556

Brevets de cette classe: 3593

Historique des publications depuis 10 ans

34
143
303
315
462
629
699
609
435
61
2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Micron Technology, Inc.
24960
654
Sandisk Technologies LLC
5684
650
Samsung Electronics Co., Ltd.
131630
583
Kioxia Corporation
9847
475
SK Hynix Inc.
11030
326
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
1940
274
Macronix International Co., Ltd.
2562
73
Lodestar Licensing Group LLC
583
64
Applied Materials, Inc.
16587
61
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
36809
35
Tokyo Electron Limited
11599
31
Intel NDTM US LLC
373
30
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
10902
29
Lam Research Corporation
4775
26
Toshiba Memory Corporation
255
21
Intel Corporation
45621
16
International Business Machines Corporation
60644
11
ASM IP Holding B.V.
1715
11
Soulbrain Co., Ltd.
196
11
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
1290
10
Autres propriétaires 202